Transistor de pequeña señal bipolar, tipo NPN, Vceo 40 Vmin., fT 300 MHz min. @ 20 mA, Ic 600 mA max. hFE 100 min. a 300 max. @ 150 mA, encapsulado de plástico TO-226AA (TO-92). Estan diseñados para amplificación de pequeña señal de baja radiofrecuencia, también son usados como switches de propósito general
Transistor de pequeña señal bipolar, tipo NPN, Vceo 40 Vmin., fT 300 MHz min. @ 20 mA, Ic 600 mA max. hFE 100 min. a 300 max. @ 150 mA, encapsulado de plástico TO-226AA (TO-92). Estan diseñados para amplificación de pequeña señal de baja radiofrecuencia, también son usados como switches de propósito general
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