Descripción
| Categoría de producto: | MOSFET |
| RoHS: |
| Polaridad del transistor: | N-Channel |
| Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 100 V |
| Vds – Tensión disruptiva entre puerta y fuente: | 20 V |
| Id – Corriente de drenaje continua: | 33 A |
| Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: | 44 mOhms |
| Qg – Carga de puerta: | 47.3 nC |
| Dp – Disipación de potencia : | 140 W |
| Estilo de montaje: | Through Hole |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-3 |






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